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存儲器

eeprom與fram

eeprom和fram的設計參數類似，但fram的可讀寫次數非常高且寫入速度較快。然而通常情況下，225度高溫進口存儲器代理，用戶仍會選擇eeprom而不是fram，其主要原因是成本(fram較為昂貴)、水平和供貨情況。設計---常常使用成本較低的串行eeprom，除非耐久性或速度是強制性的系統要求。

dram和sram都是易失性存儲器，盡管這兩種類型的存儲器都可以用作程序存儲器和數據存儲器，進口存儲器代理，但sram主要用于數據存儲器。dram與sram之間的主要差別是數據存儲的壽命。只要不斷電，200度高溫進口存儲器代理，sram就能保持其數據，但dram只有極短的數據壽命，通常為4毫秒左右。

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串行存儲器和并行存儲器

在定義了應用系統之后，微控制器的選擇是決定選擇串行或并行存儲器的一個因素。對于較大的應用系統，微控制器通常沒有足夠大的內部存儲器，這時必須使用外部存儲器，因為外部尋址總線通常是并行的，外部的程序存儲器和數據存儲器也將是并行的。

較小的應用系統通常使用帶有內部存儲器但沒有外部地址總線的微控制器。如果需要額外的數據存儲器，外部串行存儲器件是---的選擇。大多數情況下，這個額外的外部數據存儲器是非易失性的。

根據不同的設計，引導存儲器可以是串行也可以是并行的。如果微控制器沒有內部存儲器，并行的非易失性存儲器件對大多數應用系統而言是正確的選擇。但對一些高速應用，可以使用外部的非易失性串行存儲器件來引導微控制器，并允許主代碼存儲在內部或外部高速sram中。