直流濺射法：直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊---觸的陰極，從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料，真空磁控濺射鍍膜設(shè)備，不適于絕緣材料。因為轟擊絕緣靶材時，表面的離子電荷無法中和，這將導(dǎo)致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速與電離的機會將變小，甚至不能電離，導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止，濺射停止。故對于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁�，真空磁控濺射鍍膜設(shè)備公司，須用射頻濺射法rf。
濺射過程中涉及到復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子；某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘對于金屬是5-10 ev，從而從晶格點陣中被碰撞出來，產(chǎn)生離位原子；這些離位原子進一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞，產(chǎn)生碰撞級聯(lián)；當(dāng)這種碰撞級聯(lián)到達靶材表面時，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結(jié)合能對于金屬是1-6ev，這些原子就會從靶材表面脫離從而進入真空。
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用于納米級單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備�！ �
主要由真空室系統(tǒng)濺射室、靶及電源系統(tǒng)、樣品臺系統(tǒng)、真空抽氣及測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、計算機控制系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)等組成�！�
技術(shù)指標(biāo)： ---真空度6.7×10-5pa，系統(tǒng)漏率：1×10-7pal/s； 恢復(fù)真空時間：40分鐘可達6.6×10 pa短時間暴露 ---并充干燥氮氣后開始抽氣
鍍膜方式：磁控靶為直靶，向下濺射成膜； 樣品基片: 負(fù)偏壓 -200v
樣品轉(zhuǎn)盤：在基片傳輸線上連續(xù)可調(diào)可控，在真空下可輪流任意靶位互換工作。樣品轉(zhuǎn)盤由伺服電機驅(qū)動，計算機控制其水平傳遞；
可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng)，真空磁控濺射鍍膜設(shè)備報價，計算機控制系統(tǒng)的功能：對位移和樣品公轉(zhuǎn)速度---間的變化做實時采集，對位移誤差進行計算，真空磁控濺射鍍膜設(shè)備價格，以曲線和數(shù)值顯示。樣品公轉(zhuǎn)速度對位移曲線可在線性和對數(shù)標(biāo)度兩種顯示之間切換，可實現(xiàn)換位鍍膜。
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自動磁控濺射系統(tǒng)選配項：
rf、dc濺射
熱蒸鍍能力
rf或dc偏壓1000v
樣品臺可加熱到700°c
膜厚監(jiān)測儀
基片的rf射頻等離子清洗
應(yīng)用：
晶圓片、陶瓷片、玻璃白片以及磁頭等的金屬以及介質(zhì)涂覆
光學(xué)以及ito涂覆
帶高溫樣品臺和脈沖dc電源的硬涂覆
帶rf射頻等離子放電的反應(yīng)濺射
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