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mos管如何工作在放大區？
mos管也能工作在放大區，而且很常見。做鏡像電流源、運放、反饋控制等，都是利用mos管工作在放大區，由于mos管的特性，6n60場效應管，當溝道處于似通非通時，柵極電壓直接影響溝道的導電能力，呈現一定的線-。由于柵極與源漏隔離，因此其輸入阻抗可視為無窮大，當然，場效應管，隨頻率增加阻抗就越來越小，25n120場效應管，一定頻率時，就變得不可忽視。這個高阻抗特點被廣泛用于運放，運放分析的虛連、虛斷兩個重要原則就是基于這個特點。這是三極管的。
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mos管-原因是什么？
mos管-，主要原因之一是寄生電容在頻繁開啟關閉時，10n60場效應管，顯現交流特性而具有阻抗，形成電流。有電流就有-，并非電場型的就沒有電流。另一個原因是當柵極電壓爬升緩慢時，導通狀態要“路過”一個由關閉到導通的臨界點，這時，導通電阻很大，-比較厲害。第三個原因是導通后，溝道有電阻，過主電流，形成-。主要考慮的-是和第3點。許多mos管具有結溫過高保護，所謂結溫就是金屬氧化膜下面的溝道區域溫度，一般是150攝氏度。超過此溫度，mos管不可能導通。溫度下降就恢復。要注意這種保護狀態的后果。
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mosfet場效應管的主要參數：
3. 漏源擊穿電壓bvds
·在vgs=0(增強型)的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使id開始劇增時的vds稱為漏源擊穿電壓bvds
·id劇增的原因有下列兩個方面:
(1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
(2)漏源極間的穿通擊穿
·有些mos管中，其溝道長度較短，不斷增加vds會使漏區的耗盡層一直擴展到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通后，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的id
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