因為信號是反饋到vt1發射極，現假設vt1發射極電壓瞬時極性為“+”，集電極電壓極性為“+”發射極與集電極是同相關系，當發射極電壓上升時集電極電壓也上升，vt2的基極電壓極性為“+”，發射極電壓極性也為“+”，該極性的電壓通過x1反饋到vt1的發射極，反饋電壓極性與假設的電壓極性相同，故該反饋為正反饋。
接通電源后，三極管vt1、vt2導通，vt2發射極輸出變化的ie電流中包含各種頻率的信號，石英晶體x1對其中的f0信號阻抗很小，f0信號經x1、rp1反饋到vt1的發射極，該信號經vt1放大后從集電極輸出，又加到vt2放大后從發射極輸出，然后又通過x1反饋到vt1放大，如此反復進行，vt2輸出的f0信號幅度越來越大，vt1、vt2組成的放大電路放大倍數越來越小，當放大倍數等于反饋衰減系數時，輸出f0信號幅度不再變化，電路輸出穩定的f0信號。
1，晶體振蕩器的厚度總是高于晶體諧振器。因為晶體振蕩器內部直接置入起振芯片，無需外部元器件幫助起振，自身可以直接起振。
2，由于晶體振蕩器可以依靠自身起振，因此在電子行業歸類為主動元器件，而晶體諧振器需要依靠外部電容電阻起振，稱之為被動元器件。
3，晶體振蕩器種類復雜繁多，可分為以下幾種：普通振蕩器spxo；溫補振蕩器tcxo；壓控振蕩器vcxo，壓控溫補振蕩器vc-tcxo；恒溫振蕩器ocxo。而晶體諧振器只有一種，就是自身。
4，晶體振蕩器的精度高于晶體諧振器，因此兩者論性能穩定度，莫屬晶體振蕩器---。晶體振蕩器中的溫補振蕩器較---可達到0.5ppm，晶體諧振器較---只能做到5ppm，且為dip封裝，smd封裝較---僅僅只有10ppm。
5，無疑，晶體振蕩器的成本高于晶體諧振器。
其次，晶體與晶振弄混會導致哪些誤會。從上文的分析中我們可以得出結論，被動與主動的焊接電路是完全不同的，因晶體振蕩器無需外接電容，晶體諧振器需外接電容電阻，如若兩者混淆采購，單片機振蕩器加工，電路將無---常起振。
晶振，全稱是石英晶體振蕩器，晶振的精度---，一般的晶振可以達到1/20000。晶振的用途很廣，作用也非常大---是對于單片機系統來說，它能產生并提供寫入程序的單片機系統電路所需要的時鐘頻率，只有晶體為單片機提供了需要的時鐘頻率，單片機才能準確無誤地執行程序里的指令，一般來說，要想讓單片機里面的程序執行得更快一些，就得想辦法提高石英晶振的時鐘頻率。
石英晶振能夠給系統提供一個基本的時鐘頻率。一般一個系統要保持系統里面各部分能夠同步，就需要一個石英晶振，但有一些系統的射頻和基頻會使用到不一樣的頻率信號，這個時候就要想辦法調整晶振頻率來保持系統的同步。晶振一般跟鎖相環電路配合，有時電路中的各個子系統需要的時鐘頻率不相同，那么能夠用這個晶振相連的不同鎖相環提供。
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