晶硅太陽(yáng)能光伏板的制做全過(guò)程
3、去磷硅玻璃該加工工藝用以太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)加工全過(guò)程中，根據(jù)有機(jī)化學(xué)浸蝕法也即把硅片放到---水溶液中侵泡，使其造成放熱反應(yīng)轉(zhuǎn)化成可溶的絡(luò)和物---硅酸，以除去外擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表層產(chǎn)生的一層層磷硅玻璃。在外擴(kuò)散全過(guò)程中，pocl3與o2反映轉(zhuǎn)化成p2o5淀積在硅片表層。p2o5與si反映又轉(zhuǎn)化成sio2和磷分子，那樣就在硅片表層產(chǎn)生一層層帶有磷原素的sio2，稱(chēng)作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的機(jī)器設(shè)備通常由本身、清理槽、伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)軟件、機(jī)械手臂、電氣系統(tǒng)和全自動(dòng)配酸系統(tǒng)軟件等一部分構(gòu)成，關(guān)鍵能源有---、n2、空氣壓縮、純凈水，熱排風(fēng)系統(tǒng)和污水。---可以融解sio2由于---與sio2反映轉(zhuǎn)化成容易揮發(fā)的四---硅汽體。若---過(guò)多，反映轉(zhuǎn)化成的四---硅會(huì)深化與---反映轉(zhuǎn)化成可溶的絡(luò)和物---硅酸。
4、低溫等離子刻蝕因?yàn)樵谕鈹U(kuò)散全過(guò)程中，即便選用背對(duì)背外擴(kuò)散，硅片的全部表層包含邊沿都將難以避免地外擴(kuò)散上磷。pn結(jié)的反面所搜集到的光生電子器件會(huì)順著邊沿外擴(kuò)散有磷的地區(qū)流進(jìn)pn結(jié)的反面，而導(dǎo)致短路故障。因而，務(wù)必對(duì)太陽(yáng)電池附近的夾雜硅開(kāi)展刻蝕，以除去充電電池邊沿的pn結(jié)。一般 選用低溫等離子刻蝕技術(shù)性進(jìn)行這一加工工藝。低溫等離子刻蝕是在底壓情況下，反映汽體cf4的孕媽分子結(jié)構(gòu)在頻射輸出功率的激起下，造成電離并產(chǎn)生等離子技術(shù)。等離子技術(shù)是由感應(yīng)起電的電子器件和正離子構(gòu)成，反映波導(dǎo)管中的汽體在電子器件的碰撞下，除開(kāi)轉(zhuǎn)化成正離子外，還能---吸收動(dòng)能并產(chǎn)生很多的特---基團(tuán)。特---反映基團(tuán)因?yàn)橥鈹U(kuò)散或是在靜電場(chǎng)功效下抵達(dá)sio2表層，在那邊與被刻蝕原材料表層產(chǎn)生放熱反應(yīng)，并產(chǎn)生揮發(fā)物的反映反應(yīng)物擺脫被刻蝕化學(xué)物質(zhì)表層，被超濾裝置抽出來(lái)波導(dǎo)管。
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絲網(wǎng)印刷
基本原理
基本原理：利用網(wǎng)版圖文部分網(wǎng)孔透墨，非圖文部分網(wǎng)孔不透墨的基本原理進(jìn)行印刷。印刷時(shí)在網(wǎng)版上加入漿料，刮膠對(duì)網(wǎng)版施加一定壓力，同時(shí)朝網(wǎng)版另一端移動(dòng)。漿料在移動(dòng)中從網(wǎng)孔中擠壓到承印物上，由于粘性作用而固著在一定范圍之內(nèi)。由于網(wǎng)版與承印物之間保持一定的間隙，網(wǎng)版通過(guò)自身的張力產(chǎn)生對(duì)刮膠的回彈力，使網(wǎng)版與承印物只呈移動(dòng)式線接觸，而其它部分與承印物為脫離狀態(tài)，漿料與絲網(wǎng)發(fā)生斷裂運(yùn)動(dòng)，-了印刷尺寸精度。刮膠刮過(guò)整個(gè)版面后抬起，同時(shí)網(wǎng)版也抬起，并通過(guò)回墨刀將漿料輕刮回初始位置，完成一個(gè)印刷行程。
絲網(wǎng)結(jié)構(gòu)
網(wǎng)版，刮膠，漿料，印刷臺(tái)，承印物
漿料體系
銀鋁漿：背面導(dǎo)體，作為背電極，提供可焊性。
鋁漿：背面導(dǎo)體，作為背面電場(chǎng)，收集電流。
銀漿：正面導(dǎo)體，作為正電極，收集電荷。
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九、崩邊、豁口、掉角
充電電池邊沿崩邊喝豁口
---：其長(zhǎng)短≤3mm，-1≤0.5mm，總數(shù)≤2處
b級(jí)：其長(zhǎng)短≤5mm，-1≤1.0mm，總數(shù)≤3處
四邊豁口
---：規(guī)格≤1.5*1.5mm，總數(shù)≤1處
b級(jí)：規(guī)格≤2.0*2.0mm，總數(shù)≤1處
注：多晶硅---和b級(jí)均不容許有三邊形豁口和銳利行豁口，左右豁口都不能過(guò)電級(jí)(主柵線，副柵線)
超出b級(jí)范疇
多晶硅電池片超出了b級(jí)范疇，就立即做為缺點(diǎn)片。
多晶電池片超出了b級(jí)范疇，如合乎c級(jí)需切角片的規(guī)定，能作c級(jí)需切角片多
經(jīng)容許邊緣有豁口包含三邊形豁口和銳利行豁口，對(duì)邊緣豁口聽(tīng)規(guī)定給出
125任意邊緣破損≤18*18mm
150任意邊緣破損≤8*8mm
156任意邊緣破損≤14*14mm注：多晶電池片超過(guò)了c級(jí)片的規(guī)定，做為缺點(diǎn)片。---粉碎，無(wú)運(yùn)用使用價(jià)值的做為報(bào)費(fèi)片新的規(guī)范與舊的同樣。
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