一般集成電路都是用光刻的方法將電路集中刻制在單晶硅片上,然后接好連接引線和管角,再用環氧塑封料封裝而成。塑封料的熱膨脹率與單晶硅的越接近,石油支撐劑用硅微粉哪有賣,集成電路的工作熱穩定性就越好。單晶硅的熔點為1415℃,膨脹系數為3.5ppm,熔融石英粉的為(0.3~0.5)ppm,環氧樹脂的為(30~50)ppm,當熔融球形石英粉以高比例加入環氧樹脂中制成塑封料時,其熱膨脹系數可調到8ppm左右,加得越多就越接近單晶硅片的,也就越好。而結晶粉俗稱生粉的熱膨脹系數為60ppm,結晶石英的熔點為1996℃,不能取代熔融石英粉(即熔融硅微粉),所以中集成電路中不用球形粉時,也要用熔融的角形硅微粉。這也是球形粉想用結晶粉為近球形不能成功的原因所在。效果不行,走不通;10年前,包括現在我國還有人走這條路,從以上理論證明此種方法是不行的。即塑封料粉不能用結晶粉取代。