啟爾特科技-經營175度FLASH芯片代理-FLASH芯片

225度大容量存儲器

北京啟爾特石油科技新到一批145度、150度、175度、210度、225度高溫存儲器，美國原廠進口，耐高溫，性能穩定，各種容量都有，適用于隨鉆儀器及其他石油測井勘探領域，感興趣的客戶，歡迎來電咨詢！

fram利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲，鐵電晶體的結構如圖1所示。鐵電效應是指在鐵電晶體上施加一定的電場時，晶體中心原子在電場的作用下運動，flash芯片，并達到一種穩定狀態;當電場從晶體移走后，中心原子會保持在原來的位置。這是由于晶體的中間層是一個高能階，中心原子在沒有獲得外部能量時不能越過高能階到達另一穩定位置，因此fram保持數據不需要電壓，也不需要像dram一樣周期性刷新。由于鐵電效應是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無關，所以fram存儲器的內容不會受到外界條件諸如磁場因素的影響，能夠同普通rom存儲器一樣使用，具有非易失性的存儲特性。

fram的特點是速度快，能夠像ram一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如e2prom的寫入次數的問題。但受鐵電晶體特性制約，fram仍有訪問(讀)次數的-。

測井210度高溫存儲器

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動態隨機存取存儲器的缺點

動態隨機存取存儲器dram是以一個電晶體加上一個電容來儲存一個位1bit的資料，由于傳統 dram 的電容都是使用“氧化矽”做為絕緣體，氧化矽的介電常數不夠大k 值不夠大，因此不容易吸引儲存電子與電洞，造成必須-地補充電子與電洞，供應150度flash芯片代理，所以稱為“動態”，只要電腦的電源關閉，電容所儲存的電子與電洞就會流失，dram 所儲存的資料也就會流失。

要解決這個問題，簡單的就是使用介電常數夠大k 值夠大的材料來取代“氧化矽”為絕緣體，讓電子與電洞可以儲存在電容里不會流失。目前業界使用“鈦鋯酸鉛”pzt或“鉭鉍酸-”sbt這種介電常數很大k 值很大的“鐵電材料”ferroelectric material來取代氧化矽，則可以儲存電子與電洞不會流失，讓原本“揮發性”的動態隨機存取存儲器dram變成“非揮發性”的存儲器稱為“鐵電隨機存取存儲器”ferroelectric ram，fram。