1、負性光刻膠
主要有聚酸系(聚酮膠)和環化橡膠系兩大類，前者以柯達公司的kpr為代表，后者以omr系列為代表。
2、正性光刻膠
主要以-醒為感光化臺物，以酚醛樹脂為基本材料。的有az-1350系列。正膠的主要優點是分辨率高，近紅外光刻膠供應商，缺點是靈敏度、耐刻蝕性和附著性等較差。
3、負性電子束光刻膠
為含有環-、乙烯基或環-物的聚合物。 的是cop膠，近紅外光刻膠公司，典型特性:靈敏度0.3~0.4μc/cm2 (加速電壓10kv時)、分辨率1.0um、 對比度0.95。-分辨率
的主要因素是光刻膠在顯影時的溶脹。
4、正性電子束光刻膠
主要為-、烯砜和-類這三種聚合物。的是pmma膠，典型特性:靈敏度40~ 80μc/cm2 (加速電壓20kv時)、分辨率0.1μm、 對比度2~3。
pmma膠的主要優點是分辨率高。主要缺點是靈敏度低，此外在高溫下易流動，耐干法刻蝕性差。
光刻膠可分為半導體光刻膠、面板光刻膠和pcb光刻膠。其中，半導體光刻膠的技術壁壘較高。
從技術水平來看，在pcb領域，國產光刻膠具備了一定的技術和量產能力，已經實現對主流廠商大批量供貨。
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光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一，-是近年來-和-規模集成電路的發展，更是大-進了光刻膠的研究開發和應用。印刷工業是光刻膠應用的另一重要領域。
1、光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠。反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。
2、普通的光刻膠在成像過程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著-加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高-系統分辨率的性能，人們正在研究在-光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術。該技術的引入，可明顯減小光刻膠表面對入射光的反射和散射，從而-光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復雜性和光刻成本的增加。
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