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在-過程中，正性膠通過感光化學反應，切斷樹脂聚合體主鏈和從鏈之間的聯系，達到削弱聚合體的目的，nr9 3000p光刻膠，所以-后的光刻膠在隨后顯影處理中溶解度升高。-后的光刻膠溶解速度幾乎是未-的光刻膠溶解速度的10倍。而負性膠，在感光反應過程中主鏈的隨機十字鏈接更為緊密，nr9 3000p光刻膠報價，并且從鏈下墜物增長，所以聚合體的溶解度降低。見正性膠在-區間顯影，負性膠則相反。負性膠由于-區間得到保留，漫射形成的輪廓使顯-的圖像為上寬下窄的圖像，而正性膠相反，為下寬上窄的圖像。
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光刻是整個集成電路制造過程中耗時長、難度大的工藝，nr9 3000p光刻膠哪里有，耗時占ic制造50%左右，成本約占ic生產成本的1/3。光刻膠是光刻過程重要的耗材，光刻膠的對光刻工藝有著重要影響。
光刻是將圖形由掩膜版上轉移到硅片上，為后續的刻蝕步驟作準備。在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經紫外線-后，光刻膠的化學性質發生變化，在通過顯-，被-的光刻膠將被去除，nr9 3000p光刻膠，從而實現將電路圖形由掩膜版轉移到光刻膠上。再經過刻蝕過程，實現電路圖形由光刻膠轉移到硅片上。在刻蝕過程中，光刻膠起防腐蝕的保護作用。
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