微納光刻加工廠——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一,主要---半導體產業發展的應用技術研究,---重大技術應用的基礎研究,立足于廣東省經濟社會發展的實際需要,從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究,以及行業應用技術開發。
光刻掩膜版,也通常稱為掩膜板,它是我們在微納加工技術中常用的光刻工藝中使用的圖形的母版。
通常對掩膜版的基本求如下:
1精度高:圖形尺寸準確,器件光刻芯片技術,符合設計要求,且不發生畸變。
2套刻準:應當---整套掩模版中的各個次版能依次套住,套準誤差盡量小。
3反差強:圖形黑白域之間的反差要高,一般要求在2.5以上。邊緣光滑,刺,過渡區要小即“黑區”應盡可能陡直地過渡到“透明區”。
4耐磨損:版面平整、光潔、無和劃痕,堅固---且不易變形。
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微納光刻加工廠——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一,主要---半導體產業發展的應用技術研究,---重大技術應用的基礎研究,立足于廣東省經濟社會發展的實際需要,從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究,以及行業應用技術開發。
在光刻過程中可能會出現光刻膠未涂滿襯底的異常,主要原因可能以下幾個:滴膠量不、膠液偏離襯底中心、滴膠是有氣泡、滴膠是有“倒角”,主要的叫絕方法有:增加滴膠量、調整勻膠機水平位置、調整滴膠位置、在“倒角”處滴膠、消除“倒角”。
光刻膠要有極i好的穩定性和一致性,如果稍微出點問題,損失將會是---的。去年2月,某半導體代工企業因為光刻膠的原因導致晶圓污染,報廢十萬片晶圓,直接導致5.5億美元的賬面損失。除了以上原因外,另一個重要原因是,經過幾十年的發展,器件光刻芯片委托加工,光刻膠已經是一個相當成熟且固化的產業。2010年光刻膠的專i利出現井噴,2013年之后,相關專i利的申請已經開始銳減。市場較小,技術壁壘又高,這意味著對于企業來說,發展光刻膠性i價比不高,即便研發成功一款光刻膠,也要面臨較長的周期,需要與下游企業建立合作關系。
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微納光刻加工廠——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一,主要---半導體產業發展的應用技術研究,---重大技術應用的基礎研究,立足于廣東省經濟社會發展的實際需要,從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究,江西器件光刻芯片,以及行業應用技術開發。
接觸式光刻---主要優點是可以使用價格較低的設備制造出較小的特征尺寸。
接觸式光刻---時掩模壓在光刻膠的襯底晶片上,其主要優點是可以使用價格較低的設備制造出較小的特征尺寸。接觸式光刻和深亞微米光源已經達到了小于0.1μm的特征尺寸,常用的光源分辨率為0.5μm左右。接觸式光刻機的掩模版包括了要到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠,并被安裝到一個由手動控制的臺子上,臺子可以進行x、y方向及旋轉的定位控制。掩模版和襯底晶片需要通過分立視場的顯微鏡同時觀察,器件光刻芯片多少錢,這樣操作者用手動控制定位臺子就能把掩模版圖形和襯底晶片上的圖形對準了。經過紫外光---,光線通過掩模版透明的部分,圖形就轉移到了光刻膠上。
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