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氣體傳感器闡述半導體氣體傳感器可分為電阻型和非電阻型(結型、mosfet型、電容型)。電阻型氣敏器件的原理是氣體分子引起敏感材料電阻的變化;非電阻型氣敏器件主要有m()s二極管和結型二極管以及場效應管(m()sfet),它利用了敏感氣體會改變mosfet開啟電壓的原理,其原理結構與isfet離子敏傳感器件相同。
氣體傳感器種類在sno2材料內摻雜是---傳感器選擇性的主要方法,添加pt、pd、ir等---不僅能有效地提高元件的靈敏度和響應時間,而且,催化劑不同,導致不同的吸附傾向,從而---選擇性。例如在sno2氣敏材料中摻雜---pt、pd、au可以提高對ch4的靈敏度,摻雜ir可降低對ch4的靈敏度,摻雜pt、au提高對h2的靈敏度,摻雜pd降低對h2的靈敏度。
氣體傳感器樣式氣敏二極管的特性曲線左移可以看作二極管導通電壓發(fā)生改變,這一特性如果發(fā)生在場效應管的柵極,將使場效應管的閾值電壓ut改變。利用這一原理可以制成mosfet型氣敏器件。氫氣敏mosfet是一種典型的氣敏器件,它用金屬鈀(pd)制成鈀柵。在含有氫氣的氣氛中,由于鈀的催化作用,氫氣分子分解成氫原子擴散到鈀與二氧化硅的界面,終導致mosfet的閾值電壓ut發(fā)生變化。使用時常將柵漏短接,可以---mosfet工作在飽和區(qū),此時的漏極電流id=β(ugs—ut)2,利用這一電路可以測出氫氣的濃度。
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